Imagen Parte Fabricante Descripción MOQ Valores Acción
GH0781JA2C Sharp Microelectronics
LASER DIODE 784NM 120MW TO18
1
6,500
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GH04P21A2GE Sharp Microelectronics
LASER DIODE 406NM 105MW TO18
1
6,500
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GH04020B2A Sharp Microelectronics
LASER DIODE 406NM 20MW TO18
1
6,500
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GH04125A2A Sharp Microelectronics
LASER DIODE 406NM 130MW TO18
1
6,500
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NV4V41SF-A CEL (California Eastern Laboratories)
LASER DIODE 405NM 600MW TO18
1
6,500
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NV4V31SF-A CEL (California Eastern Laboratories)
LASER DIODE 405NM 175MW TO18
1
6,500
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D6605I US-Lasers, Inc.
LASER DIODE 660NM 5MW TO18
1
6,500
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